bibibi.cc正在加载…
马斯克称中国存储芯片扩产能力强，但HBM等先进技术难度更高。
马斯克：中国突破产品制造后，扩产能力往往超过全球其他地区总和
PANews 10月13日消息，马斯克在X评论存储芯片行业竞争时表示，中国一旦掌握产品制造，其规模化生产能力往往超过世界其他地区总和，锂电池和太阳能产业已体现这一点。他认为，中国正快速攻克遵循统一标准的LP5、LP6低功耗内存技术，但新型HBM（高带宽内存）架构、逻辑芯片下方的SRAM层，以及在逻辑芯片上方三维堆叠内存并解决散热问题，技术难度更高。
原文链接：https://www.panewslab.com/zh/articles/01a13320-069a-755e-a35f-9d9f64aeba7a
PANews称，马斯克在X评论存储芯片行业竞争。
马斯克表示，中国掌握产品制造后，规模化生产能力往往超过世界其他地区总和。
他以锂电池和太阳能产业作为体现这一观点的例子。
他表示中国正快速攻克遵循统一标准的LP5、LP6低功耗内存技术。
他认为新型HBM架构、逻辑芯片下方的SRAM层，以及逻辑芯片上方三维堆叠内存并解决散热问题，技术难度更高。
以下为辅助分析，与已报道事实分开展示；重要信息请进一步核实。
这段内容是在转述马斯克对中国存储芯片制造能力和先进内存技术难度的看法。材料提到，LP5、LP6低功耗内存被认为正在快速攻克，而HBM及相关三维堆叠、散热技术更复杂。
它反映了对中国存储芯片规模化生产潜力和先进内存技术门槛的讨论，但没有提供具体企业、订单、产能或量产数据。
低功耗内存强调降低运行耗电；HBM是高带宽内存；SRAM是位于逻辑芯片下方的内存层。三维堆叠还需要解决散热问题。
正在加载事件时间线…