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据报道，长鑫存储称年底前将推出4F²服务器存储芯片，相关消息伴随多家芯片股下跌。
长鑫存储公布存储芯片技术取得突破，引发三星、SK海力士股价下跌
PANews 10月13日消息，据彭博社报道，长鑫存储（CXMT）总裁曹堪宇在上海一场行业会议上宣布，公司将在年底前推出采用4F²架构的新一代数据中心服务器存储芯片。4F²设计可在更小面积内集成同等存储单元，而三星与SK海力士多年来一直未能实现该技术门槛。若属实，意味着CXMT在被美国制裁、无法获得ASML顶尖设备的情况下率先突破。曹堪宇称该方案通过垂直环绕栅极（Vertical Surrounding Gate）堆叠晶体管以降低漏电。消息引发全球芯片股抛售，三星与SK海力士周二在韩股下跌逾7%，美光隔夜收跌4%。CXMT在DRAM市场份额已从去年同期的4%升至今年二季度的10%。
原文链接：https://www.panewslab.com/zh/articles/01a13402-a3d6-700e-8a25-3ab92843a39b
PANews称其消息来自彭博社报道。
报道中，长鑫存储总裁曹堪宇宣布，公司将在年底前推出采用4F²架构的新一代数据中心服务器存储芯片。
原文称，4F²设计可在更小面积内集成同等存储单元。
曹堪宇称，该方案通过垂直环绕栅极堆叠晶体管以降低漏电。
原文称，三星与SK海力士周二在韩国股市下跌逾7%，美光隔夜收跌4%。
原文称，长鑫存储的DRAM市场份额从去年同期的4%升至今年二季度的10%。
原文称，长鑫存储受到美国制裁，且无法获得ASML顶尖设备。
以下为辅助分析，与已报道事实分开展示；重要信息请进一步核实。
4F²是一种芯片单元布局架构。按原文说法，它能用更小面积容纳同等数量的存储单元；垂直环绕栅极方案则被称用于降低漏电。不过，目前材料呈现的是公司高管的宣布和媒体转述，并非独立技术验证。
如果长鑫存储按其说法推出相关芯片，这项技术可能影响数据中心服务器存储芯片的竞争格局。原文还记录了三星、SK海力士和美光股价下跌，以及长鑫存储DRAM市场份额上升。
新手可把这理解为一家存储芯片公司宣布了更紧凑、旨在降低漏电的新设计，但产品能否如期推出、能否稳定量产以及实际表现如何，现有材料无法确认。
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